nand flash
上個月在大阪舉辦的 SSDM 2011 大會上(Solid State Devices and Materials),日本東大的竹內建教授提出使用旺宏的 3D NAND Flash 技術 + SOI 技術,可以把 NAND Flash 的製程一口氣再微縮到8nm。以往的 Floating Gate...
2011年11月11日(神棍節?!)南韓三星半導體在自家舉辦的「2011三星技術大展」上宣布:1x奈米級的NAND Flash已經正式試作成功,同時也展示了該次試作的成果雖然比東芝慢了半年而1x奈米 Flash試作成功所代表的意義,就是:「如果能夠成功量產,那麼未來NAND Flash的成本將會進...