search:感應耦合型電漿相關網頁資料
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![Chapter 7 電漿的基礎原理]()
www.isu.edu.tw2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ...瀏覽：1184 -
![電漿反應器與原理]()
ebooks.lib.ntu.edu.tw本文先對電漿現象及原理作概述，再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異，而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%，近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛， 如 ...瀏覽：335
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日期：2024-04-17
感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS) ... 氣相層析質譜儀(GC-MS), 氣相層析電子捕捉偵測器(GC-ECD), 液相層析質譜儀(LC-MS), 血液氣體分析儀, 超臨界流體層析(SFC) ......
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日期：2024-04-21
Inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) is a type of mass spectrometry which is capable of detecting metals and several non-metals at ......
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日期：2024-04-17
（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同，但前者多感應線圈 ......
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日期：2024-04-21
在感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS) 中，氬氣電漿所產生的離子會注入至MS 中，並基於離子的質量/電價比例將離子分開。是濃度低達一萬億分之幾金屬分析的理想選擇。...
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日期：2024-04-20
碩士論文. Department of Chemistry. National Sun Yat-sen University. Master Thesis. 感應耦合電漿質譜儀於食品中多重微量元素. 與鉻、砷及硒物種型態分析之應用....
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日期：2024-04-19
利用感應耦合式電漿技術對氮化鎵磊晶層進行蝕刻。改變不. 同氣體的混合比例、 感應耦合式電漿功率和射頻功率等研究其對. 蝕刻速率的變化，並且藉由掃瞄式電子 ......
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日期：2024-04-23
Agilent 7500C 型感應耦合電漿質譜儀（ICP-MS），附Autosampler。可與Agilent LC1100型HPLC併聯，附Quatpump、LC1100 autosampler、LC1100 degasser。...
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日期：2024-04-23
An inductively coupled plasma (ICP) is a type of plasma source in which the energy is supplied by electric currents which are produced by electromagnetic ......
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